存储芯片行业在2026年9月初连续出现两项与3D DRAM相关的新进展：AMD披露基于混合键合的3D DRAM实验数据，称能效最高可较传统HBM堆栈提升17倍；北方华创则在IEEE期刊公布下一代3D DRAM制造工艺突破。文章围绕3D DRAM为何成为焦点、三星、SK海力士和美光的技术路线，以及刻蚀、沉积、混合键合等设备环节的重心变化展开。

SK 海力士 9 日表示，下一代存储器 3D DRAM 半导体开发可利用代工工艺。公司在 2026 SK 海力士未来论坛上提出 3D DRAM 的主要技术方向，包括外围电路采用逻辑代工工艺、提升数据总线带宽和超短距离传输。与会人士还提到，推进 3D DRAM 仍需解决设计、发热、微细互连、键合和工艺整合等问题。

君正股份8月25日在港交所挂牌，H股开盘价为100港元，开盘总市值约515亿港元。公司早在2011年已在深交所创业板上市，此次完成港股上市后进入“A+H”半导体企业行列。招股书显示，公司已形成存储、计算、模拟三条芯片产品线，2026年一季度营收15.60亿元、净利润3.20亿元，毛利率回升至42.6%。募资预计为31.3亿港元，其中一半将投向研发，四分之一用于战略投资与并购。

IOSG 在一篇关于存储赛道的长文中指出，AI 时代推动资本重新定价存储，核心逻辑已从传统容量生意转向热数据效率。文章将 AI 存储拆分为 HBM、DRAM 与 CXL、企业级 SSD、HDD 及存储软件栈等层级，并称去中心化存储更适合公共数据集存证、AI 训练数据溯源与长期冷记忆归档。文中同时比较了 Filecoin 与 Arweave 的不同路径，并梳理了去中心化存储在产品化、检索体验、企业服务与 Token 激励上的现实挑战。

长鑫存储在科创板挂牌首日股价较发行价上涨 472%，盘中隐含市值一度突破 5,000 亿美元，短暂超过英特尔。高盛在 7 月 24 日召开的闭门专家会上预计，到 2030 年中国 DRAM 产能将较当前水平翻倍，本土设备渗透率明显提升。报告还提到，长鑫存储计划在 2026 年量产 HBM3 和 HBM3E，3D DRAM 预计于 2027 年迎来研发突破。

长鑫存储 7 月 27 日在上海证券交易所挂牌，首日股价较发行价上涨 472%。公司此次 IPO 募资 666 亿元人民币，创下中国历史第二大 IPO 纪录，仅次于 2010 年中国农业银行。发行共 66.88 亿股，发行价 8.66 元，开盘价 49.50 元，市值约 3.3 万亿元。彭博数据显示，其发行估值较全球同业和中国本土芯片制造商均存在明显折价。

Odaily 报道称，Citrini 分析师 jukan 在 X 平台转述 Goldman Sachs 与一位中国 DRAM 行业专家的交流内容。该专家认为，中国供应商的 DRAM 价格可与全球龙头相当，但良率可能更低；中国 DRAM 厂商或在 2027 年于 3D DRAM 产品开发上取得进一步进展，合肥、上海和北京推进的产能扩张预计将在 2028 年全面投产。

Citrini 分析师 Jukan 引述 ZDNet Korea 行业分析称，AI 半导体竞争正从制程微缩转向先进堆叠，3D IC 成为下一代关键技术。尽管三星 Foundry 收到大量 3D IC 询价，但三星与 SK 海力士因标准化量产模式限制，对全面商业化仍持谨慎态度。长鑫存储则在美国半导体限制下，将 3D IC 视为差异化突破口，瞄准定制内存这一利基市场。